ma-P 1275 – жидкий позитивный фоторезист высокой вязкости с толщиной пленки до 40 мкм, наносимый за один этап центрифугирования. Он предназначен для гальванических структур в микросистемной технологии и хорошо подходит для использования в качестве маски для травления. Фоторезист можно использовать для создания 3D-структур путем переноса рисунка с фоторезиста и его последующей обработки, например, с помощью УФ-отверждения или травления.
Толщина пленки: 6 - 40 мкм (нанесение покрытия методом центрифугирования) Дин. вязкость: 460 ± 30 МПа (при 25 °C, 1000 с-1) Плотность: 1,080 ± 0,002 г/см³
ХАРАКТЕРИСТИКИ:
Широкополосное экспонирование по g-, h- и i-линиям
Высокая стабильность в кислотных и щелочных гальванических растворах