ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ: Толстые фоторезисты для нанесения покрытий и травления Низкое оптическое поглощение Высокое соотношение сторон и разрешение Чувствителен к h- и i-линиям (320–410 нм)
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ Покрытие: 30 об/мин, пленка толщиной 40 мкм на кремниевой подложке без покрытия Сушка: Сушильный шкаф, 110 °C / 120 с Выдержка после проявления: 30 мин. (Время выдержки зависит от толщины пленки) Экспонирование: Установка совмещения Suss MA-200, микрозазор 20 мкм, номин. значение 400 Дж/см2 Выдержка после экспонирования: По желанию Проявитель: Ванночка, распыление или погружение. Тип проявителя: IN или MIF