LOR 10A

Линейка LOR резистов от MicroChem основана на основе PMGI (полиметилглутаримида). Эта серия фоторезистов, предназначена для нанесения металлов на подложку техникой взрывной литографии.
Особенностью применения LOR резистов является использование двуслойной литографии.

Скачать Техническое описание

ПРЕИМУЩЕСТВА:

• Отличная адгезия к Si, NiFe, GaAs, InP;
• Не смешивается с фоторезистами (не образует пены);
• Субмикронный контроль ширины линии;
• Простая двуслойная обработка без дополнительных стадий воздействия воды, проявления, обработки амином или токсичными химикатами;
• Совместим с g-, h-, i-линиями, DUV, 193 нм и электронно-лучевыми резистами;
• Совместим с проявителями, содержащими TMAH и ионы металлов;
• Толщина плёнки для нанесения от 20 нм до 5 мкм.

ПРИМЕНЕНИЕ:
LOR резисты изготовление микромеханических систем (MEMS), магниторезистивных головок (GMR и MR), беспроводных приборов, оптоэлектроники.

Толщина - 0,2 - 5 мкм
Проявители - TMAH, 26N
Средства удаления - EBR PG MicroChem
Длина волны экспонирования - g-, h-, i-линии, 193 нм, электронно-лучевые резисты

Области применения - В паре с обычными фоторезистами позволяет осуществлять процесс двуслойной обратной фотолитографии.