ma-N 2410

ma-N 2410 - жидкий негативный фоторезист, предназначенные для использования в микро- и наноэлектронике.

Толщина пленки: 1,0± 0,1 мкм (нанесение покрытия методом центрифугирования при 3000 об/мин 30 секунд)
Дин. вязкость: 12 ± 1 МПа (при 25 °C, 1000 с-1)
Плотность: 1,056 ± 0,003 г/см³

ХАРАКТЕРИСТИКИ:

Доступны резисты с различной вязкостью
Чувствительны к электронному и ультрафиолетовому излучению
Хорошо подходят в качестве масок для травления
Обладают высокой устойчивостью к сухому и жидкому травлению
Хорошая термическая стабильность рисунка резиста
Высокое разрешение
Проявление в щелочной среде

ПРИМЕНЕНИЕ:

Производство полупроводниковых приборов
Использование в микро- и наноэлектронике
Маска для травления, например, Si, SiO2, Si3N4 или металлов
Маска для ионной имплантации

Производитель: Мicro Resist Technology GmbH

Толщина: 1,0 мкм