ПРЕИМУЩЕСТВА: • Отличная адгезия к Si, NiFe, GaAs, InP • Совместим с g-, i-линиями • Совместим с проявителями, содержащими TMAH и ионы металлов • Легко отмывается, стабильная производительность • Толщина плёнки после нанесения от 500 нм до 2700 нм
Толщина - 0,5-2,7 мкм Проявитель - SUN-238D Средство удаления - SUN-80R Длина волны экспонирования - i-, g-линии
Тип: Позитивный
Производитель: Weifang Xingtai Ke Microelectronic Materials
Толщина фотослоя: 0,5-2,7 мкм
Корзина
Заполните форму ниже, чтобы отправить запрос
«Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь c политикой конфиденциальности»